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MR25H10MDCR产品详细规格

规格书
 MRAM Brochure
MR25H10

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 2.000

格式 - 记忆 RAM

Memory 型 MRAM (Magnetoresistive RAM)

内存大小 1M (128K x 8)

速度 40MHz

接口 SPI Serial

- 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V

操作温度 -40°C ~ 125°C

包/盒 8-TDFN Exposed Pad

供应商器件封装 8-DFN-EP (5x6)

包装材料 Tape & Reel (TR)

封装 Tape & Reel (TR)

格式 - 存储器 RAM

标准包装 4.000

供应商设备封装 8-DFN-EP. Large Flag (5x6)

内存类型 MRAM (Magnetoresistive RAM)

工作温度 -40°C ~ 125°C

存储容量 1M (128K x 8)

电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V

封装/外壳 8-TDFN Exposed Pad

接口 SPI Serial

速度 40MHz

系列 MR25H10

安装风格 SMD/SMT

电源电压 - 最大 3.6 V

接口类型 SPI

最低工作温度 - 40 C

组织 128 K x 8

电源电压 - 最小 2.7 V

最高工作温度 + 125 C

RoHS RoHS Compliant

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王工

伍工

罗工

规格书	MRAM Brochure MR25H10
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	2.000
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	MRAM (Magnetoresistive RAM)
内存大小	1M (128K x 8)
速度	40MHz
接口	SPI Serial
- 电源电压	2.7 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 125°C
包/盒	8-TDFN Exposed Pad
供应商器件封装	8-DFN-EP (5x6)
包装材料	Tape & Reel (TR)
封装	Tape & Reel (TR)
格式 - 存储器	RAM
标准包装	4.000
供应商设备封装	8-DFN-EP. Large Flag (5x6)
内存类型	MRAM (Magnetoresistive RAM)
工作温度	-40°C ~ 125°C
存储容量	1M (128K x 8)
电压 - 电源	2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳	8-TDFN Exposed Pad
接口	SPI Serial
速度	40MHz
系列	MR25H10
安装风格	SMD/SMT
电源电压 - 最大	3.6 V
接口类型	SPI
最低工作温度	- 40 C
组织	128 K x 8
电源电压 - 最小	2.7 V
最高工作温度	+ 125 C
RoHS	RoHS Compliant