深圳市宝安区西乡街道固戍下围园路口文浩商务大厦A座405室 Tel: 0755-23316215
MR2A08AYS35R产品详细规格
规格书
MRAM Brochure
MR2A08A
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 1.000 格式 - 记忆 RAM Memory 型 MRAM (Magnetoresistive RAM) 内存大小 4M (512K x 8) 速度 35ns 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 3 V ~ 3.6 V 操作温度 0°C ~ 70°C 包/盒 44-TSOP (0.400. 10.16mm Width) 供应商器件封装 44-TSOP II 包装材料 Tape & Reel (TR) RoHS RoHS Compliant 数据总线宽度 8 bit 存储容量 4 Mbit 组织 512 K x 8 接口类型 Parallel 访问时间 35 ns 电源电压 - 最大 3.6 V 电源电压 - 最小 3 V 工作电流 50 mA 最高工作温度 + 70 C 最低工作温度 0 C 封装/外壳 TSOP-44 封装 Reel 安装风格 SMD/SMT 格式 - 存储器 RAM 标准包装 1.000 供应商设备封装 44-TSOP2 (10.2x18.4) 内存类型 MRAM (Magnetoresistive RAM) 工作温度 0°C ~ 70°C 电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V 接口 Parallel 速度 35ns RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant 系列 MR2A08A
商品标签