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MR2A08AYS35R
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MR2A08AYS35R

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MR2A08AYS35R产品详细规格

规格书 MR2A08AYS35R datasheet 规格书
MRAM Brochure
MR2A08A
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1.000
格式 - 记忆 RAM
Memory 型 MRAM (Magnetoresistive RAM)
内存大小 4M (512K x 8)
速度 35ns
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 3 V ~ 3.6 V
操作温度 0°C ~ 70°C
包/盒 44-TSOP (0.400. 10.16mm Width)
供应商器件封装 44-TSOP II
包装材料 Tape & Reel (TR)
RoHS RoHS Compliant
数据总线宽度 8 bit
存储容量 4 Mbit
组织 512 K x 8
接口类型 Parallel
访问时间 35 ns
电源电压 - 最大 3.6 V
电源电压 - 最小 3 V
工作电流 50 mA
最高工作温度 + 70 C
最低工作温度 0 C
封装/外壳 TSOP-44
封装 Reel
安装风格 SMD/SMT
格式 - 存储器 RAM
标准包装 1.000
供应商设备封装 44-TSOP2 (10.2x18.4)
内存类型 MRAM (Magnetoresistive RAM)
工作温度 0°C ~ 70°C
电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V
接口 Parallel
速度 35ns
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
系列 MR2A08A

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