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MR25H40CDCR
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MR25H40CDCR

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MR25H40CDCR产品详细规格

规格书 MRAM Brochure
MR20H40. MR25H40
MR25H40CDCR datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2.000
格式 - 记忆 RAM
Memory 型 MRAM (Magnetoresistive RAM)
内存大小 4M (512K x 8)
速度 40MHz
接口 SPI Serial
- 电源电压 3 V ~ 3.6 V
操作温度 -40°C ~ 85°C
包/盒 8-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装 8-DFN-EP (5x6)
包装材料 Tape & Reel (TR)
封装 Tape & Reel (TR)
格式 - 存储器 RAM
标准包装 4.000
供应商设备封装 8-DFN-EP. Large Flag (5x6)
内存类型 MRAM (Magnetoresistive RAM)
工作温度 -40°C ~ 85°C
存储容量 4M (512K x 8)
电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V
封装/外壳 8-VDFN Exposed Pad
接口 SPI Serial
速度 40MHz
系列 MR25H40
安装风格 SMD/SMT
电源电压 - 最大 3.6 V
接口类型 SPI
最低工作温度 - 40 C
组织 512 K x 8
电源电压 - 最小 3 V
最高工作温度 + 85 C
RoHS RoHS Compliant

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