MR25H10CDC产品详细规格

规格书	MRAM Brochure MR25H10
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	570
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	MRAM (Magnetoresistive RAM)
内存大小	1M (128K x 8)
速度	40MHz
接口	SPI Serial
- 电源电压	2.7 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	8-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装	8-DFN-EP (5x6)
包装材料	Tray
安装	Surface Mount
Package Width	6
组织	128Kx8
PCB	8
筛选等级	Industrial
类型	MRAM
典型工作电源电压	3.3
欧盟RoHS指令	Compliant
密度	1M
最低工作温度	-40
供应商封装形式	DFN EP
标准包装名称	DFN
最高工作温度	85
数据总线宽度	8
接口类型	Serial-SPI
Package Length	5
最低工作电源电压	2.7
引脚数	8
最大工作电流	27
Package Height	0.95
最大随机存取时间	10
封装	Tray
最大工作电源电压	3.6
铅形状	No Lead
格式 - 存储器	RAM
供应商设备封装	8-DFN-EP. Large Flag (5x6)
内存类型	MRAM (Magnetoresistive RAM)
工作温度	-40°C ~ 85°C
存储容量	1M (128K x 8)
电压 - 电源	2.7 V ~ 3.6 V
标准包装	570
接口	SPI Serial
速度	40MHz
其他名称	819-1014
封装/外壳	8-VDFN Exposed Pad
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
系列	MR25H10
安装风格	SMD/SMT
电源电压 - 最大	3.6 V
最低工作温度	- 40 C
封装/外壳	DFN-8
电源电压 - 最小	2.7 V
最高工作温度	+ 85 C
RoHS	RoHS Compliant
工作温度范围	-40C to 85C
密度	1048576 Bit
字长	8 b
工作温度分类	Industrial
弧度硬化	No
工作电源电压（典型值）	3.3 V
工作电源电压（最小值）	2.7 V
工作电源电压（最大值）	3.6 V
访问时间（最大）	9 ns
包装类型	DFN EP
电源电流	27 mA

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