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M48Z2M1V-85PL1
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M48Z2M1V-85PL1

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M48Z2M1V-85PL1产品详细规格

规格书 M48Z2M1V-85PL1 datasheet 规格书
M48Z2M1(Y.V)
文档 M48Z2M1V View All Specifications
Rohs Lead free / RoHS Compliant
其他相关文件 M48Z2M1V View All Specifications
标准包装 9
格式 - 记忆 RAM
Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
内存大小 16M (2M x 8)
速度 85ns
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 3 V ~ 3.6 V
操作温度 0°C ~ 70°C
包/盒 36-DIP Module
供应商器件封装 36-PLDIP Module
包装材料 Tube
典型工作电源电压 3.3
标准包装名称 DIP
最大工作电流 70
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 70
数据总线宽度 8
最低工作温度 0
最大随机存取时间 85
封装 Tube
类型 NVSRAM
接口类型 Parallel
筛选等级 Commercial
供应商封装形式 PLDIP
组织 2Mx8
最大工作电源电压 3.6
密度 16M
最低工作电源电压 3
引脚数 36
格式 - 存储器 RAM
标准包装 9
供应商设备封装 36-PLDIP Module
内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
工作温度 0°C ~ 70°C
存储容量 16M (2M x 8)
电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V
封装/外壳 36-DIP Module
接口 Parallel
速度 85ns
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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