HM6AQB18202BPL50产品详细规格

Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装	1
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	SRAM - Synchronous. QDR II
内存大小	36M (2M x 18)
速度	200MHz
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	1.4 V ~ 1.9 V
操作温度	0°C ~ 70°C
包/盒	165-LBGA
供应商器件封装	165-FBGA (15x17)
包装材料	Tray
包装	165FBGA
定时类型	Synchronous
密度	36 Mb
数据速率架构	QDR
典型工作电源电压	1.8 V
地址总线宽度	20 Bit
I / O线数	18 Bit
端口数	2
字数	2 M
工作温度	0 to 70 °C
标准包装	Trays
安装	Surface Mount
Package Width	15
PCB	165
地址总线宽度	20
典型工作电源电压	1.8
欧盟RoHS指令	Not Compliant
密度	36M
最低工作温度	0
供应商封装形式	FBGA
标准包装名称	BGA
最高工作温度	70
最大时钟频率	200
每字位数	18
Package Length	17
最低工作电源电压	1.7
引脚数	165
最大工作电流	620
Package Height	1.08
Maximum Access Time	0.35
最大工作电源电压	1.9
铅形状	Ball

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