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CY7C1414BV18-200BZXI产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 105 格式 - 记忆 RAM Memory 型 SRAM - Synchronous. QDR II 内存大小 36M (1M x 36) 速度 200MHz 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 1.7 V ~ 1.9 V 操作温度 -40°C ~ 85°C 包/盒 165-LBGA 供应商器件封装 165-FBGA (15x17) 包装材料 Tray 封装 Tray 格式 - 存储器 RAM 标准包装 105 供应商设备封装 165-FBGA (15x17) 内存类型 SRAM - Synchronous. QDR II 工作温度 -40°C ~ 85°C 存储容量 36M (1M x 36) 电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V 封装/外壳 165-LBGA 接口 Parallel 速度 200MHz
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