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CY14B104NA-BA25IT产品详细规格
规格书
CY14B104LA/NA
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant 标准包装 2.000 格式 - 记忆 RAM Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 内存大小 4M (256K x 16) 速度 25ns 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V 操作温度 -40°C ~ 85°C 包/盒 48-TFBGA 供应商器件封装 48-FBGA (6x10) 包装材料 Tape & Reel (TR) 封装 Tape & Reel (TR) 格式 - 存储器 RAM 标准包装 2.000 供应商设备封装 48-FBGA (6x10) 内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 工作温度 -40°C ~ 85°C 存储容量 4M (256K x 16) 电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V 封装/外壳 48-TFBGA 接口 Parallel 速度 25ns
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