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CY7C1143KV18-400BZC产品详细规格

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 CY7C1143/45KV18

文档 Multiple Devices 13/Jun/2013
Qualification of Die Attach Film 13/Dec/2013

Rohs Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装 136

格式 - 记忆 RAM

Memory 型 SRAM - Synchronous. QDR II+

内存大小 18M (1M x 18)

速度 400MHz

接口 Parallel (Byte-wide)

- 电源电压 1.7 V ~ 1.9 V

操作温度 0°C ~ 70°C

包/盒 165-LBGA

供应商器件封装 165-FBGA (13x15)

包装材料 Tray

封装 Tray

格式 - 存储器 RAM

标准包装 136

供应商设备封装 165-FBGA (13x15)

内存类型 SRAM - Synchronous. QDR II+

工作温度 0°C ~ 70°C

存储容量 18M (1M x 18)

电压 - 电源 1.7 V ~ 1.9 V

封装/外壳 165-LBGA

接口 Parallel

速度 400MHz

其他名称 CY7C1143KV18400BZC

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王工

伍工

罗工

规格书	CY7C1143/45KV18
文档	Multiple Devices 13/Jun/2013 Qualification of Die Attach Film 13/Dec/2013
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装	136
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	SRAM - Synchronous. QDR II+
内存大小	18M (1M x 18)
速度	400MHz
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	1.7 V ~ 1.9 V
操作温度	0°C ~ 70°C
包/盒	165-LBGA
供应商器件封装	165-FBGA (13x15)
包装材料	Tray
封装	Tray
格式 - 存储器	RAM
标准包装	136
供应商设备封装	165-FBGA (13x15)
内存类型	SRAM - Synchronous. QDR II+
工作温度	0°C ~ 70°C
存储容量	18M (1M x 18)
电压 - 电源	1.7 V ~ 1.9 V
封装/外壳	165-LBGA
接口	Parallel
速度	400MHz
其他名称	CY7C1143KV18400BZC