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CY62177DV30LL-55BAXI产品详细规格

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 CY62177DV30

文档 CY62177DV30LL-55BAXI(T) 16/Mar/2012

Rohs Lead free / RoHS Compliant

产品更改通知 CY62177DV30LL-55BAXI(T) Obsolescence 16/Mar/2012

标准包装 210

格式 - 记忆 RAM

Memory 型 SRAM - Asynchronous

内存大小 32M (2M x 16)

速度 55ns

接口 Parallel (Byte-wide)

- 电源电压 2.2 V ~ 3.6 V

操作温度 -40°C ~ 85°C

包/盒 48-TFBGA

供应商器件封装 48-FBGA (8x9.5)

包装材料 Tray

封装 Tray

标准包装 210

格式 - 存储器 RAM

供应商设备封装 48-FBGA (8x9.5)

内存类型 SRAM - Asynchronous

工作温度 -40°C ~ 85°C

存储容量 32M (2M x 16)

电压 - 电源 2.2 V ~ 3.6 V

封装/外壳 48-TFBGA

接口 Parallel

速度 55ns

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王工

伍工

罗工

规格书	CY62177DV30
文档	CY62177DV30LL-55BAXI(T) 16/Mar/2012
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知	CY62177DV30LL-55BAXI(T) Obsolescence 16/Mar/2012
标准包装	210
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	SRAM - Asynchronous
内存大小	32M (2M x 16)
速度	55ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	2.2 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	48-TFBGA
供应商器件封装	48-FBGA (8x9.5)
包装材料	Tray
封装	Tray
标准包装	210
格式 - 存储器	RAM
供应商设备封装	48-FBGA (8x9.5)
内存类型	SRAM - Asynchronous
工作温度	-40°C ~ 85°C
存储容量	32M (2M x 16)
电压 - 电源	2.2 V ~ 3.6 V
封装/外壳	48-TFBGA
接口	Parallel
速度	55ns