深圳市宝安区西乡街道固戍下围园路口文浩商务大厦A座405室 Tel: 0755-23316215
CY14V104NA-BA25XI产品详细规格
规格书
CY14V104LA.NA
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 299 格式 - 记忆 RAM Memory 型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 内存大小 4M (256K x 16) 速度 25ns 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 3 V ~ 3.6 V 操作温度 -40°C ~ 85°C 包/盒 48-TFBGA 供应商器件封装 48-FBGA (6x10) 包装材料 Tray 封装 Tray 格式 - 存储器 RAM 标准包装 299 供应商设备封装 48-FBGA (6x10) 内存类型 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 工作温度 -40°C ~ 85°C 存储容量 4M (256K x 16) 电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V 封装/外壳 48-TFBGA 接口 Parallel 速度 25ns 其他名称 CY14V104NABA25XI
商品标签