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CY7C1049DV33-10ZSXI产品详细规格
规格书
CY7C1049DV33
文档 Qualification Test/Finish Site 15/Dec/2013
Qualification of Copper Wire 13/Dec/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 135 格式 - 记忆 RAM Memory 型 SRAM - Asynchronous 内存大小 4M (512K x 8) 速度 10ns 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 3 V ~ 3.6 V 操作温度 -40°C ~ 85°C 包/盒 44-TSOP (0.400. 10.16mm Width) 供应商器件封装 44-TSOP II 包装材料 Tray 封装 Tray 格式 - 存储器 RAM 供应商设备封装 44-TSOP II 内存类型 SRAM - Asynchronous 工作温度 -40°C ~ 85°C 存储容量 4M (512K x 8) 电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V 标准包装 135 接口 Parallel 速度 10ns 封装/外壳 44-TSOP (0.400'. 10.16mm Width)
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