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NAND512R3A2DZA6E产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 1.260 格式 - 记忆 FLASH Memory 型 FLASH - NAND 内存大小 512M (64M x 8) 速度 - 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 1.7 V ~ 1.95 V 操作温度 -40°C ~ 85°C 包/盒 63-TFBGA 供应商器件封装 63-VFBGA (9x11) 包装材料 Tray 包装 63VFBGA 电池类型 NAND 密度 512 Mb 建筑 Sectored 块组织 Symmetrical 典型工作电源电压 1.8 V 扇区大小 16Kbyte x 4096 支持页面模式 Yes 定时类型 Asynchronous 工作温度 -40 to 85 °C 地址总线宽度 26 Bit 接口类型 Parallel 页面大小 512 byte 标准包装 Trays 封装 Tray 格式 - 存储器 FLASH 供应商设备封装 63-VFBGA (9x11) 内存类型 FLASH - NAND 存储容量 512M (64M x 8) 电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V 封装/外壳 63-TFBGA 接口 Parallel RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
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