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NAND04GW3B2DN6E产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant 标准包装 576 格式 - 记忆 FLASH Memory 型 FLASH - NAND 内存大小 4G (512M x 8) 速度 - 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V 操作温度 -40°C ~ 85°C 包/盒 48-TFSOP (0.724. 18.40mm Width) 供应商器件封装 48-TSOP (12x20) 包装材料 Tray 包装 48TSOP 电池类型 NAND 密度 4 Gb 建筑 Sectored 块组织 Symmetrical 典型工作电源电压 3|3.3 V 扇区大小 128Kbyte x 4096 支持页面模式 Yes 定时类型 Asynchronous 工作温度 -40 to 85 °C 地址总线宽度 29 Bit 接口类型 Parallel 页面大小 2 KB 封装 Tray 格式 - 存储器 FLASH 标准包装 576 供应商设备封装 48-TSOP (12x20) 内存类型 FLASH - NAND 存储容量 4G (512M x 8) 电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V 封装/外壳 48-TFSOP (0.724'. 18.40mm Width) 接口 Parallel RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
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