NAND01GW3B2BZA6E产品详细规格

Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	210
格式 - 记忆	FLASH
Memory 型	FLASH - NAND
内存大小	1G (128M x 8)
速度	-
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	2.7 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	63-TFBGA
供应商器件封装	63-VFBGA (9x11)
包装材料	Tray
接口类型	Parallel
定时类型	Asynchronous
地址总线宽度	28
典型工作电源电压	3|3.3
欧盟RoHS指令	Compliant
字数	128M
最低工作温度	-40
电池类型	NAND
供应商封装形式	VFBGA
标准包装名称	BGA
最高工作温度	85
每字位数	8
建筑	Sectored
引导块	No
最低工作电源电压	2.7
引脚数	63
块组织	Symmetrical
最大工作电流	30
最大随机存取时间	25000
封装	Tray
最大工作电源电压	3.6
密度	1G
铅形状	Ball
格式 - 存储器	FLASH
标准包装	210
供应商设备封装	63-VFBGA (9x11)
内存类型	FLASH - NAND
工作温度	-40°C ~ 85°C
存储容量	1G (128M x 8)
电压 - 电源	2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳	63-TFBGA
接口	Parallel
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant

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