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NAND128W3A0BN6E
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NAND128W3A0BN6E

  • 商品货号:NAND128W3A0BN6E
  • 商品库存: 157
  • 商品品牌:micron
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NAND128W3A0BN6E产品详细规格

规格书 NAND128W3A0BN6E datasheet 规格书
文档 NAND Flash Devices 22/Oct/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 96
格式 - 记忆 FLASH
Memory 型 FLASH - NAND
内存大小 128M (16M x 8)
速度 -
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V
操作温度 -40°C ~ 85°C
包/盒 48-TFSOP (0.724. 18.40mm Width)
供应商器件封装 48-TSOP (12x20)
包装材料 Tray
包装 48TSOP
电池类型 SLC NAND
密度 128 Mb
建筑 Sectored
块组织 Symmetrical
典型工作电源电压 3|3.3 V
扇区大小 16Kbyte x 1024
支持页面模式 Yes
定时类型 Asynchronous
工作温度 -40 to 85 °C
地址总线宽度 24 Bit
接口类型 Parallel
页面大小 256/512 Words/byte
标准包装 Trays
安装 Surface Mount
包装宽度 18.4
包装长度 12
PCB 48
筛选等级 Industrial
地址总线宽度 24
典型工作电源电压 3|3.3
欧盟RoHS指令 Compliant
字数 16M
最低工作温度 -40
供应商封装形式 TSOP
标准包装名称 TSOP
最高工作温度 85
每字位数 8
引导块 No
最低工作电源电压 2.7
引脚数 48
最大工作电流 20
包装高度 1
最大随机存取时间 12000
封装 Tray
最大工作电源电压 3.6
密度 128M
铅形状 Gull-wing
格式 - 存储器 FLASH
供应商设备封装 48-TSOP (12x20)
内存类型 FLASH - NAND
存储容量 128M (16M x 8)
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳 48-TFSOP (0.724'. 18.40mm Width)
接口 Parallel
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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