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M29F800DB70M6E
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M29F800DB70M6E

  • 商品货号:M29F800DB70M6E
  • 商品库存: 缺货
  • 商品品牌:Micron Technology
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相关商品

M29F800DB70M6E产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 16
格式 - 记忆 FLASH
Memory 型 FLASH - Nor
内存大小 8M (1M x 8. 512K x 16)
速度 70ns
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 4.5 V ~ 5.5 V
操作温度 -40°C ~ 85°C
包/盒 44-SOIC (0.525.13.34mm Width)
供应商器件封装 44-SO
包装材料 Tube
接口类型 Parallel
安装 Surface Mount
定时类型 Asynchronous
包装宽度 13.3
包装长度 28.2
PCB 44
筛选等级 Industrial
地址总线宽度 20/19
密度 8M
典型工作电源电压 5
欧盟RoHS指令 Compliant
字数 1M/512K
最低工作温度 -40
电池类型 NOR
供应商封装形式 SO
标准包装名称 SOIC
最高工作温度 85
编程电压 4.5 to 5.5
每字位数 8/16
建筑 Sectored
引导块 Yes
最低工作电源电压 4.5
引脚数 44
块组织 Asymmetrical
最大工作电流 20
包装高度 2.3
最大随机存取时间 70
封装 Tray
最大工作电源电压 5.5
位置引导块 Bottom
铅形状 Gull-wing
格式 - 存储器 FLASH
标准包装 16
供应商设备封装 44-SO
内存类型 FLASH - NOR
工作温度 -40°C ~ 85°C
存储容量 8M (1M x 8. 512K x 16)
电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V
封装/外壳 44-SOIC (0.525'.13.34mm Width)
接口 Parallel
速度 70ns
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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