MT28F640J3RG-115 MET产品详细规格

规格书
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装	1.000
格式 - 记忆	FLASH
Memory 型	FLASH
内存大小	64M (8M x 8. 4M x 16)
速度	115ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	2.7 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	56-TFSOP (0.724. 18.40mm Width)
供应商器件封装	56-TSOP I
包装材料	Tray
Tensione d'alimentazione d'esercizio minima	2.7
Organizzazione德尔blocco	Symmetrical
Tensione d'esercizio tipica	3.3
Tensione di programmazione	2.7 to 3.6|4.5 to 5.5
Numero di bit per parola	8/16
Tensione d'alimentazione d'esercizio massima	3.6
Confezione fornitore	TSOP-I
Densità	64M
NUMERO二假释	8M/4M
TIPO二时机	Asynchronous
诺姆标准苏拉confezione	TSOP
Temperatura d'esercizio minima	-40
经conduttore	Gull-wing
TIPO二内殿	NAND
NUMERO DEI针	56
Confezione	Tray
Ampiezza indirizzo bus	23/22
Architettura	Sectored
Corrente d'esercizio massima	50
Blocco德尔启动	No
TIPO二interfaccia	Parallel
Tempo di accesso massimo random	115
Massima temperatura d'esercizio	85
Livello二筛查	Extended
封装	Tray
格式 - 存储器	FLASH
标准包装	1.000
供应商设备封装	56-TSOP I
内存类型	FLASH
工作温度	-40°C ~ 85°C
存储容量	64M (8M x 8. 4M x 16)
电压 - 电源	2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳	56-TFSOP (0.724'. 18.40mm Width)
接口	Parallel
速度	115ns
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant

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