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MT46V64M8TG-6T L:F TR产品详细规格

规格书
 512Mb: x4. x8. x16 DDR SDRAM

Rohs Contains lead / RoHS non-compliant

标准包装 1.000

格式 - 记忆 RAM

Memory 型 DDR SDRAM

内存大小 512M (64M x 8)

速度 6ns

接口 Parallel (Byte-wide)

- 电源电压 2.3 V ~ 2.7 V

操作温度 0°C ~ 70°C

包/盒 66-TSSOP (0.400. 10.16mm Width)

供应商器件封装 66-TSOP

包装材料 Tape & Reel (TR)

单位包 0

最小起订量 1

封装 Tape & Reel (TR)

格式 - 存储器 RAM

标准包装 1.000

供应商设备封装 66-TSOP

内存类型 DDR SDRAM

工作温度 0°C ~ 70°C

存储容量 512M (64M x 8)

电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V

封装/外壳 66-TSSOP (0.400'. 10.16mm Width)

接口 Parallel

速度 6ns

RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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王工

伍工

罗工

规格书	512Mb: x4. x8. x16 DDR SDRAM
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装	1.000
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	DDR SDRAM
内存大小	512M (64M x 8)
速度	6ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	2.3 V ~ 2.7 V
操作温度	0°C ~ 70°C
包/盒	66-TSSOP (0.400. 10.16mm Width)
供应商器件封装	66-TSOP
包装材料	Tape & Reel (TR)
单位包	0
最小起订量	1
封装	Tape & Reel (TR)
格式 - 存储器	RAM
标准包装	1.000
供应商设备封装	66-TSOP
内存类型	DDR SDRAM
工作温度	0°C ~ 70°C
存储容量	512M (64M x 8)
电压 - 电源	2.3 V ~ 2.7 V
封装/外壳	66-TSSOP (0.400'. 10.16mm Width)
接口	Parallel
速度	6ns
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant