MT29F32G08AECBBH1-12IT:B产品详细规格

文档	Fab Site Transistion 19/Nov/2013
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1.000
格式 - 记忆	FLASH
Memory 型	FLASH - NAND
内存大小	32G (4G x 8)
速度	-
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	2.7 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	100-VBGA
供应商器件封装	100-VBGA (12x18)
包装材料	Bulk
接口类型	Parallel|Serial
安装	Surface Mount
定时类型	Asynchronous
包装宽度	12
引导块	No
PCB	100
筛选等级	Industrial
地址总线宽度	1
典型工作电源电压	3.3
欧盟RoHS指令	Compliant
字数	4G
最低工作温度	-40
电池类型	SLC NAND
供应商封装形式	VBGA
标准包装名称	BGA
最高工作温度	85
每字位数	8
建筑	Sectored
Package Length	18
最低工作电源电压	2.7
引脚数	100
块组织	Symmetrical
最大工作电流	50
Package Height	0.63
最大工作电源电压	3.6
密度	32G
铅形状	Ball
封装	Bulk
格式 - 存储器	FLASH
标准包装	1.000
供应商设备封装	100-VBGA (12x18)
内存类型	FLASH - NAND
工作温度	-40°C ~ 85°C
存储容量	32G (4G x 8)
电压 - 电源	2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳	100-VBGA
接口	Parallel
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
地址总线	1 b
引导类型	Not Required
工作温度范围	-40C to 85C
包装类型	VBGA
密度	34359738368 Bit
字长	8 b
工作温度（最大）	85C
工作温度（最小值）	-40C
同步/异步	Asynchronous
工作温度分类	Industrial
可编程	Yes
电源电流	50 mA
弧度硬化	No
工作电源电压（典型值）	3.3 V
工作电源电压（最小值）	2.7 V
工作电源电压（最大值）	3.6 V

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