MT29F8G16ADBDAH4:D产品详细规格

文档	NAND Flash Devices 22/Oct/2013 Fab Site Transistion 19/Nov/2013
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1.000
格式 - 记忆	FLASH
Memory 型	FLASH - NAND
内存大小	8G (512M x 16)
速度	-
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	1.7 V ~ 1.95 V
操作温度	0°C ~ 70°C
包/盒	63-VFBGA
供应商器件封装	63-VFBGA (9x11)
包装材料	Bulk
包装	63VFBGA
电池类型	SLC NAND
密度	8 Gb
建筑	Sectored
块组织	Symmetrical
典型工作电源电压	1.8 V
扇区大小	128Kbyte x 8192
定时类型	Asynchronous
工作温度	0 to 70 °C
地址总线宽度	1 Bit
支持ECC	Yes
接口类型	Parallel
页面大小	2 KB
标准包装	Trays
安装	Surface Mount
包装宽度	9
引导块	No
PCB	63
筛选等级	Commercial
地址总线宽度	30
典型工作电源电压	1.8
欧盟RoHS指令	Compliant
字数	512M
最低工作温度	0
供应商封装形式	VFBGA
标准包装名称	BGA
最高工作温度	70
每字位数	16
Package Length	11
最低工作电源电压	1.7
引脚数	63
最大工作电流	20
Package Height	0.65
最大随机存取时间	25
最大工作电源电压	1.95
密度	8G
铅形状	Ball
单位包	0
最小起订量	1
封装	Bulk
格式 - 存储器	FLASH
供应商设备封装	63-VFBGA (9x11)
内存类型	FLASH - NAND
存储容量	8G (512M x 16)
电压 - 电源	1.7 V ~ 1.95 V
封装/外壳	63-VFBGA
接口	Parallel
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant

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