MT29F8G08ABCBBH1-12:B产品详细规格

文档	NAND Flash Devices 22/Oct/2013 Fab Site Transistion 19/Nov/2013
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1.000
格式 - 记忆	FLASH
Memory 型	FLASH - NAND
内存大小	8G (1G x 8)
速度	-
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	2.7 V ~ 3.6 V
操作温度	0°C ~ 70°C
包/盒	100-VBGA
供应商器件封装	100-VBGA (12x18)
包装材料	Bulk
包装	100VBGA
电池类型	SLC NAND
密度	8 Gb
建筑	Sectored
块组织	Symmetrical
典型工作电源电压	3.3 V
扇区大小	512Kbyte x 2048
支持页面模式	Yes
定时类型	Asynchronous
工作温度	0 to 70 °C
地址总线宽度	30 Bit
接口类型	Parallel|Serial
页面大小	4 KB
标准包装	Trays
安装	Surface Mount
包装宽度	12
引导块	No
PCB	100
筛选等级	Commercial
地址总线宽度	30
典型工作电源电压	3.3
欧盟RoHS指令	Compliant
字数	1G
最低工作温度	0
供应商封装形式	VBGA
编程电压	2.7 to 3.6
最高工作温度	70
每字位数	8
Package Length	18
最低工作电源电压	2.7
引脚数	100
Package Height	0.64
最大工作电源电压	3.6
密度	8G
铅形状	Ball
单位包	0
最小起订量	1
封装	Bulk
格式 - 存储器	FLASH
供应商设备封装	100-VBGA (12x18)
内存类型	FLASH - NAND
存储容量	8G (1G x 8)
电压 - 电源	2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳	100-VBGA
接口	Parallel
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant

商品标签