MT29F4G16ABADAH4-IT:D产品详细规格

文档	Fab Site Transistion 19/Nov/2013
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1.000
格式 - 记忆	FLASH
Memory 型	FLASH - NAND
内存大小	4G (256M x 16)
速度	-
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	2.7 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	63-VFBGA
供应商器件封装	63-VFBGA (9x11)
包装材料	Bulk
包装	63VFBGA
电池类型	SLC NAND
密度	4 Gb
建筑	Sectored
块组织	Symmetrical
典型工作电源电压	3.3 V
扇区大小	128Kbyte x 4096
定时类型	Asynchronous
工作温度	-40 to 85 °C
地址总线宽度	1 Bit
接口类型	Parallel
页面大小	2 KB
标准包装	Trays
安装	Surface Mount
包装宽度	9
引导块	No
PCB	63
筛选等级	Industrial
地址总线宽度	29
典型工作电源电压	3.3
欧盟RoHS指令	Compliant
字数	256M
最低工作温度	-40
供应商封装形式	VFBGA
标准包装名称	BGA
最高工作温度	85
每字位数	16
Package Length	11
最低工作电源电压	2.7
引脚数	63
最大工作电流	35
Package Height	0.65
最大随机存取时间	25
最大工作电源电压	3.6
密度	4G
铅形状	Ball
封装	Bulk
格式 - 存储器	FLASH
供应商设备封装	63-VFBGA (9x11)
内存类型	FLASH - NAND
存储容量	4G (256M x 16)
电压 - 电源	2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳	63-VFBGA
接口	Parallel
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
访问时间（最大）	25 ns
地址总线	29 b
引导类型	Not Required
工作温度范围	-40C to 85C
包装类型	VFBGA
字长	16 b
工作温度（最大）	85C
工作温度（最小值）	-40C
同步/异步	Asynchronous
工作温度分类	Industrial
可编程	Yes
电源电流	35 mA
弧度硬化	No
工作电源电压（典型值）	3.3 V
工作电源电压（最小值）	2.7 V
工作电源电压（最大值）	3.6 V

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