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MT29F1G08ABBDAHC-IT:D
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MT29F1G08ABBDAHC-IT:D

  • 商品货号:MT29F1G08ABBDAHC-IT:D
  • 商品库存: 854
  • 商品品牌:micron
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MT29F1G08ABBDAHC-IT:D产品详细规格

规格书 MT29F1G08ABBDAHC-IT:D datasheet 规格书
文档 Fab Site Transistion 19/Nov/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1.000
格式 - 记忆 FLASH
Memory 型 FLASH - NAND
内存大小 1G (128M x 8)
速度 -
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 1.7 V ~ 1.95 V
操作温度 -40°C ~ 85°C
包/盒 63-VFBGA
供应商器件封装 63-VFBGA (10.5x13)
包装材料 Bulk
包装 63VFBGA
电池类型 SLC NAND
密度 1 Gb
建筑 Sectored
块组织 Symmetrical
典型工作电源电压 1.8 V
扇区大小 128Kbyte x 1024
支持页面模式 Yes
定时类型 Asynchronous
工作温度 -40 to 85 °C
地址总线宽度 28 Bit
接口类型 Parallel
页面大小 2 KB
标准包装 Trays
安装 Surface Mount
包装宽度 10.5
引导块 Yes
PCB 63
筛选等级 Industrial
地址总线宽度 28
典型工作电源电压 1.8
欧盟RoHS指令 Compliant
字数 128M
最低工作温度 -40
供应商封装形式 VFBGA
标准包装名称 BGA
最高工作温度 85
每字位数 8
Package Length 13
最低工作电源电压 1.7
引脚数 63
最大工作电流 20
Package Height 0.65
封装 Tray
最大工作电源电压 1.95
密度 1G
铅形状 Ball
单位包 0
最小起订量 1
格式 - 存储器 FLASH
供应商设备封装 63-VFBGA (10.5x13)
内存类型 FLASH - NAND
存储容量 1G (128M x 8)
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V
封装/外壳 63-VFBGA
接口 Parallel
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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