MT46H8M32LFB5-5 IT:H产品详细规格

规格书	256Mb: x16. x32 Mobile DDR SDRAM
文档	Y36N. T36N Family 01/May/2013
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1.000
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	Mobile DDR SDRAM
内存大小	256M (8Mx32)
速度	200MHz
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	1.7 V ~ 1.95 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	90-VFBGA
供应商器件封装	90-VFBGA (8x13)
包装材料	Tray
包装	90VFBGA
类型	Mobile LPDDR SDRAM
密度	256 Mb
地址总线宽度	14 Bit
工作电源电压	1.8 V
最大时钟频率	200 MHz
最大随机存取时间	6.5|5 ns
工作温度	-40 to 85 °C
标准包装	Trays
安装	Surface Mount
包装宽度	8
组织	8Mx32
PCB	90
筛选等级	Industrial
地址总线宽度	14
典型工作电源电压	1.8
欧盟RoHS指令	Compliant
密度	256M
内部银行的数量	4
最低工作温度	-40
供应商封装形式	VFBGA
标准包装名称	BGA
最高工作温度	85
最大时钟频率	200
数据总线宽度	32
Package Length	13
最低工作电源电压	1.7
引脚数	90
最大工作电流	180
Package Height	0.65
最大随机存取时间	6.5|5
封装	Tray
每行字数	2M
最大工作电源电压	1.95
铅形状	Ball
单位包	0
最小起订量	1
格式 - 存储器	RAM
供应商设备封装	90-VFBGA (8x13)
内存类型	Mobile LPDDR SDRAM
存储容量	256M (8M x 32)
电压 - 电源	1.7 V ~ 1.95 V
封装/外壳	90-VFBGA
接口	Parallel
速度	200MHz
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant

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