M29W160EB70ZS6E

商品货号：M29W160EB70ZS6E
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M29W160EB70ZS6E产品详细规格

规格书

文档 Parallel NOR Flash MPN Terminations 04/Oct/2013

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 960

格式 - 记忆 FLASH

Memory 型 FLASH - Nor

内存大小 16M (2M x 8. 1M x 16)

速度 70ns

接口 Parallel (Byte-wide)

- 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V

操作温度 -40°C ~ 85°C

包/盒 64-LBGA

供应商器件封装 64-FBGA (11x13)

包装材料 Tray

包装 64FBGA

电池类型 NOR

密度 16 Mb

建筑 Sectored

块组织 Asymmetrical

位置引导块 Bottom

典型工作电源电压 3|3.3 V

扇区大小 8Kbyte x 2|16Kbyte x 1|32Kbyte x 1|64Kbyte x 31

支持通用闪存接口 Yes

定时类型 Asynchronous

工作温度 -40 to 85 °C

地址总线宽度 21/20 Bit

接口类型 Parallel

标准包装 Trays

封装 Tray

格式 - 存储器 FLASH

供应商设备封装 64-FBGA (11x13)

内存类型 FLASH - NOR

存储容量 16M (2M x 8. 1M x 16)

电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V

接口 Parallel

速度 70ns

封装/外壳 64-LBGA

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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王工

伍工

罗工

规格书
文档	Parallel NOR Flash MPN Terminations 04/Oct/2013
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	960
格式 - 记忆	FLASH
Memory 型	FLASH - Nor
内存大小	16M (2M x 8. 1M x 16)
速度	70ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	2.7 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	64-LBGA
供应商器件封装	64-FBGA (11x13)
包装材料	Tray
包装	64FBGA
电池类型	NOR
密度	16 Mb
建筑	Sectored
块组织	Asymmetrical
位置引导块	Bottom
典型工作电源电压	3\|3.3 V
扇区大小	8Kbyte x 2\|16Kbyte x 1\|32Kbyte x 1\|64Kbyte x 31
支持通用闪存接口	Yes
定时类型	Asynchronous
工作温度	-40 to 85 °C
地址总线宽度	21/20 Bit
接口类型	Parallel
标准包装	Trays
封装	Tray
格式 - 存储器	FLASH
供应商设备封装	64-FBGA (11x13)
内存类型	FLASH - NOR
存储容量	16M (2M x 8. 1M x 16)
电压 - 电源	2.7 V ~ 3.6 V
接口	Parallel
速度	70ns
封装/外壳	64-LBGA
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant