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M29W640GB70ZA6E
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M29W640GB70ZA6E

  • 商品货号:M29W640GB70ZA6E
  • 商品库存: 2631
  • 商品品牌:micron
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相关商品

M29W640GB70ZA6E产品详细规格

规格书 M29W640GB70ZA6E datasheet 规格书
M29W640G(B.H.L.T)
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 187
格式 - 记忆 FLASH
Memory 型 FLASH - Nor
内存大小 64M (8M x 8. 4M x 16)
速度 70ns
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V
操作温度 -40°C ~ 85°C
包/盒 48-TFBGA
供应商器件封装 48-TFBGA (6x8)
包装材料 Tray
包装 48TFBGA
电池类型 NOR
密度 64 Mb
建筑 Sectored
块组织 Asymmetrical
位置引导块 Bottom
典型工作电源电压 3|3.3 V
扇区大小 8Kbyte x 8|64Kbyte x 127
支持页面模式 Yes
定时类型 Asynchronous
工作温度 -40 to 85 °C
地址总线宽度 23/22 Bit
接口类型 Parallel
页面大小 4 Words
标准包装 Trays
筛选等级 Industrial
地址总线宽度 23/22
密度 64M
典型工作电源电压 3|3.3
欧盟RoHS指令 Compliant
字数 8M/4M
最低工作温度 -40
供应商封装形式 TFBGA
标准包装名称 BGA
最高工作温度 85
编程电压 2.7 to 3.6|11.5 to 12.5
每字位数 8/16
引导块 Yes
最低工作电源电压 2.7
引脚数 48
最大工作电流 10
最大随机存取时间 70
封装 Tray
最大工作电源电压 3.6
铅形状 Ball
格式 - 存储器 FLASH
供应商设备封装 48-TFBGA (6x8)
内存类型 FLASH - NOR
存储容量 64M (8M x 8. 4M x 16)
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
接口 Parallel
速度 70ns
封装/外壳 48-TFBGA
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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