MB85R1001ANC-GE1产品详细规格

规格书	MB85R1001A
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1.000
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	FRAM (Ferroelectric RAM)
内存大小	1M (128K x 8)
速度	150ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	3 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	48-TFSOP (0.488. 12.40mm Width)
供应商器件封装	48-TSOP
包装材料	Tray
匹配代码	MB85R1001ANC-GE1
U（ CC ）最小	3.0V
密度	1Mbit
单位包	128
标准的提前期	16 weeks
最小起订量	1280
包装	TSOP48
Permis.T （ A）分	-40°C
U（ CC）最大	3.6V
读/写CYCL	1B
Permis.T （A ）最大	85°C
汽车	NO
类型	PARALLEL
组织	64Kx16
无铅Defin	RoHS-conform
封装	Tray
格式 - 存储器	RAM
供应商设备封装	48-TSOP
内存类型	FRAM (Ferroelectric RAM)
工作温度	-40°C ~ 85°C
存储容量	1M (128K x 8)
电压 - 电源	3 V ~ 3.6 V
标准包装	1.000
接口	Parallel
速度	150ns
封装/外壳	48-TFSOP (0.488'. 12.40mm Width)
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
Memory Configuration	:128K x 8bit
NVRAM Features	:Data Retention. Read / Write Endurance
Supply Voltage Min	:3V
Supply Voltage Max	:3.6V
Memory Case Style	:TSOP
No. of Pins	:48
IC Interface Type	:Parallel
访问时间	:100ns
Operating Temperature Min	:-40°C
Operating Temperature Max	:85°C
MSL	:MSL 3 - 168 hours
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
工作温度范围	:-40°C to +85°C
Supply Voltage Range	:3V to 3.6V
Weight (kg)	0.000175
Tariff No.	85423290
associated	CR 88 D00830

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