MB85R256FPF-G-BNDE1产品详细规格

规格书	MB85R256F
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	1.000
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	FRAM (Ferroelectric RAM)
内存大小	256K (32K x 8)
速度	150ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	2.7 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	28-SOIC (0.342. 8.69mm Width)
供应商器件封装	28-SOP
包装材料	Tray
封装	Tray
格式 - 存储器	RAM
标准包装	1.000
供应商设备封装	28-SOP
内存类型	FRAM (Ferroelectric RAM)
工作温度	-40°C ~ 85°C
存储容量	256K (32K x 8)
电压 - 电源	2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳	28-SOIC (0.342'. 8.69mm Width)
接口	Parallel
速度	150ns
其他名称	865-1171
Memory Configuration	:32K x 8bit
NVRAM Features	:High Read / Write Operation Endurance
Supply Voltage Min	:2.7V
Supply Voltage Max	:3.6V
Memory Case Style	:SOIC
No. of Pins	:28
IC Interface Type	:Parallel
访问时间	:70ns
Operating Temperature Min	:-40°C
Operating Temperature Max	:85°C
MSL	:MSL 3 - 168 hours
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
工作温度范围	:-40°C to +85°C
Supply Voltage Range	:2.7V to 3.6V
Weight (kg)	0.000175
Tariff No.	85423290
associated	CR 88 D00830

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