IS61NLP51236-200B3-TR产品详细规格

规格书	IS61NLP.NVP25672.51236.102418
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装	2.000
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	SRAM - Synchronous
内存大小	18M (512K x 36)
速度	200MHz
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	3.135 V ~ 3.465 V
操作温度	0°C ~ 70°C
包/盒	165-FBGA
供应商器件封装	165-PBGA (13x15)
包装材料	Tape & Reel (TR)
封装	Tape & Reel (TR)
格式 - 存储器	RAM
标准包装	2.000
供应商设备封装	165-PBGA (13x15)
内存类型	SRAM - Synchronous
工作温度	0°C ~ 70°C
存储容量	18M (512K x 36)
电压 - 电源	3.135 V ~ 3.465 V
封装/外壳	165-FBGA
接口	Parallel
速度	200MHz
组织	512 k x 36
工厂包装数量	2000
产品种类	SRAM
最大工作电流	425 mA
系列	IS61NLP51236
安装风格	SMD/SMT
电源电压 - 最大	3.465 V
访问时间	3.1 ns
最低工作温度	0 C
最大时钟频率	200 MHz
电源电压 - 最小	3.135 V
最高工作温度	+ 70 C
类型	Synchronous
RoHS	No

商品标签