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IS61NLP25672-200B1产品详细规格
规格书
IS61NLP.NVP25672.51236.102418
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant 标准包装 84 格式 - 记忆 RAM Memory 型 SRAM - Synchronous 内存大小 18M (256K x 72) 速度 200MHz 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 3.135 V ~ 3.465 V 操作温度 0°C ~ 70°C 包/盒 209-BGA 供应商器件封装 209-PBGA (14x22) 包装材料 Tray 封装 Tray 格式 - 存储器 RAM 标准包装 84 供应商设备封装 209-PBGA (14x22) 内存类型 SRAM - Synchronous 工作温度 0°C ~ 70°C 存储容量 18M (256K x 72) 电压 - 电源 3.135 V ~ 3.465 V 封装/外壳 209-BGA 接口 Parallel 速度 200MHz 组织 256 k x 72 工厂包装数量 84 产品种类 SRAM 最大工作电流 550 mA 系列 IS61NLP25672 安装风格 SMD/SMT 电源电压 - 最大 3.465 V 访问时间 3.1 ns 最低工作温度 0 C 最大时钟频率 200 MHz 电源电压 - 最小 3.135 V 最高工作温度 + 70 C 类型 Synchronous RoHS No
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