IS42S81600E-6TLI产品详细规格

规格书	IS42S16800E. 81600E
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	108
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	SDRAM
内存大小	128M (16M x 8)
速度	166MHz
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	3 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	54-TSOP (0.400. 10.16mm Width)
供应商器件封装	54-TSOP II
包装材料	Tray
Tensione d'alimentazione d'esercizio minima	3
Confezione fornitore	TSOP-II
Tipo	SDRAM
Clock Rate massimo	166
Montaggio	Surface Mount
Tensione d'alimentazione d'esercizio massima	3.6
Package Width	10.29(Max)
PCB	54
Densità	128M
RoHS UE	Compliant
Tensione d'esercizio tipica	3.3
Ampiezza bus dati	8
Temperatura d'esercizio minima	-40
Organizzazione	16Mx8
Forma conduttore	Gull-wing
Numero di banche interne	4
Numero dei pin	54
Ampiezza indirizzo bus	14
Corrente d'esercizio massima	150
Package Length	22.42(Max)
Package Height	1.05(Max)
Nome standard sulla confezione	TSOP
Tempo di accesso massimo random	6.5|5.4
Numero di parole per banco	4M
Massima temperatura d'esercizio	85
Livello di screening	Industrial
Packaging	Tray
Format - Memory	RAM
Standard Package	108
Supplier Device Package	54-TSOP II
Memory Type	SDRAM
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C
Memory Size	128M (16M x 8)
Voltage - Supply	3 V ~ 3.6 V
Package / Case	54-TSOP (0.400'. 10.16mm Width)
Interface	Parallel
Speed	166MHz
rohs	Lead free / RoHS Compliant
Maximum Operating Current	150 mA
Product Category	DRAM
Data Bus Width	16 bit
Factory Pack Quantity	108
Series	IS42S81600E
Mounting Style	SMD/SMT
Supply Voltage - Max	3.6 V
RoHS	RoHS Compliant
Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Clock Frequency	166 MHz
Supply Voltage - Min	3 V
Maximum Operating Temperature	+ 85 C
Access Time	6.5 ns. 5.4 ns

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