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IS61LV12824-10TQ产品详细规格
规格书
IS61LV12824
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant 标准包装 72 格式 - 记忆 RAM Memory 型 SRAM - Asynchronous 内存大小 3M (128K x 24) 速度 10ns 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 3.135 V ~ 3.6 V 操作温度 0°C ~ 70°C 包/盒 100-LQFP 供应商器件封装 100-TQFP (14x20) 包装材料 Tray 封装 Tray 格式 - 存储器 RAM 标准包装 72 供应商设备封装 100-TQFP (14x20) 内存类型 SRAM - Asynchronous 工作温度 0°C ~ 70°C 存储容量 3M (128K x 24) 电压 - 电源 3.135 V ~ 3.6 V 封装/外壳 100-LQFP 接口 Parallel 速度 10ns 最大工作电流 180 mA 产品种类 SRAM 工厂包装数量 72 系列 IS61LV12824 安装风格 SMD/SMT 电源电压 - 最大 3.63 V 访问时间 10 ns 最低工作温度 0 C 组织 128 k x 24 电源电压 - 最小 2.97 V 最高工作温度 + 70 C 类型 Asynchronous RoHS No
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