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IS62WV51216BLL-55BI产品详细规格
规格书
IS62WV51216(A.B)LL
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant 标准包装 312 格式 - 记忆 RAM Memory 型 SRAM - Asynchronous 内存大小 8M (512K x 16) 速度 55ns 接口 Parallel (Byte-wide) - 电源电压 2.5 V ~ 3.6 V 操作温度 -40°C ~ 85°C 包/盒 48-TFBGA 供应商器件封装 48-miniBGA (6x8) 包装材料 Tray 封装 Tray 格式 - 存储器 RAM 标准包装 312 供应商设备封装 48-miniBGA (6x8) 内存类型 SRAM - Asynchronous 工作温度 -40°C ~ 85°C 存储容量 8M (512K x 16) 电压 - 电源 2.5 V ~ 3.6 V 封装/外壳 48-TFBGA 接口 Parallel 速度 55ns 最大工作电流 5 mA 产品种类 SRAM 工厂包装数量 312 系列 IS62WV51216BLL 安装风格 SMD/SMT 电源电压 - 最大 3.6 V 访问时间 55 ns 最低工作温度 - 40 C 组织 512 k x 16 电源电压 - 最小 2.5 V 最高工作温度 + 85 C 类型 Asynchronous RoHS No
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