IS61LV6416-10TI产品详细规格

规格书	IS61LV6416(L)
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装	135
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	SRAM - Asynchronous
内存大小	1M (64K x 16)
速度	10ns
接口	Parallel (Byte-wide)
- 电源电压	3.135 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 85°C
包/盒	44-TSOP (0.400. 10.16mm Width)
供应商器件封装	44-TSOP II
包装材料	Tray
包装	44TSOP-II
定时类型	Asynchronous
密度	1 Mb
典型工作电源电压	3.3 V
I / O线数	16 Bit
端口数	1
字数	64 K
工作温度	-40 to 85 °C
标准包装	Trays
封装	Tray
格式 - 存储器	RAM
供应商设备封装	44-TSOP II
内存类型	SRAM - Asynchronous
存储容量	1M (64K x 16)
电压 - 电源	3.135 V ~ 3.6 V
封装/外壳	44-TSOP (0.400'. 10.16mm Width)
接口	Parallel
速度	10ns
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant
最大工作电流	130 mA
产品种类	SRAM
工厂包装数量	135
系列	IS61LV6416
安装风格	SMD/SMT
电源电压 - 最大	3.63 V
访问时间	10 ns
最低工作温度	- 40 C
组织	64 k x 16
电源电压 - 最小	3.135 V
最高工作温度	+ 85 C
类型	Asynchronous
RoHS	No

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