23K256-E/SN产品详细规格

规格书	23(A.K)256
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	100
格式 - 记忆	RAM
Memory 型	SRAM
内存大小	256K (32K x 8)
速度	20MHz
接口	SPI Serial
- 电源电压	2.7 V ~ 3.6 V
操作温度	-40°C ~ 125°C
包/盒	8-SOIC (0.154. 3.90mm Width)
供应商器件封装	8-SOICN
包装材料	Tube
包装	8SOIC N
定时类型	Synchronous
密度	256 Kb
数据速率架构	SDR
典型工作电源电压	3.3 V
地址总线宽度	1 Bit
每字位数	8 Bit
I / O线数	2 Bit
端口数	1
字数	32 K
工作温度	-40 to 125 °C
标准包装	Rail / Tube
单位包	100
最小起订量	300
封装	Tube
格式 - 存储器	RAM
供应商设备封装	8-SOIC N
内存类型	SRAM
存储容量	256K (32K x 8)
电压 - 电源	2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳	8-SOIC (0.154'. 3.90mm Width)
接口	SPI Serial
速度	20MHz
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
组织	32 k x 8
工厂包装数量	100
产品种类	SRAM
最大工作电流	4 uA
最高工作温度	+ 125 C
安装风格	SMD/SMT
电源电压 - 最大	3.6 V
访问时间	25 ns
最低工作温度	- 40 C
最大时钟频率	20 MHz
电源电压 - 最小	2.7 V
类型	Synchronous
RoHS	RoHS Compliant
地址总线	1 b
安装	Surface Mount
工作温度范围	-40C to 125C
包装类型	SOIC N
引脚数	8
字长	8 b
同步/异步	Synchronous
工作温度分类	Automotive
时钟频率	20 MHz
建筑	SDR
弧度硬化	No
工作电源电压（典型值）	3.3 V
工作电源电压（最小值）	2.7 V
工作电源电压（最大值）	3.6 V
电源电流	10mA

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