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SST25VF010A-33-4I-SAE
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SST25VF010A-33-4I-SAE

  • 商品货号:SST25VF010A-33-4I-SAE
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  • 商品品牌:microchip
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SuperFlash Brochure
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文档 SST25VF010A Family Fabrication Site 26/Nov/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 100
格式 - 记忆 FLASH
Memory 型 FLASH
内存大小 1M (128K x 8)
速度 33MHz
接口 SPI Serial
- 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V
操作温度 -40°C ~ 85°C
包/盒 8-SOIC (0.154. 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOIC
包装材料 Tube
包装 8SOIC N
密度 1 Mb
建筑 Sectored
块组织 Symmetrical
典型工作电源电压 3.3 V
扇区大小 4Kbyte x 32
定时类型 Synchronous
工作温度 -40 to 85 °C
地址总线宽度 1 Bit
接口类型 Serial-SPI
标准包装 Rail / Tube
封装 Tube
格式 - 存储器 FLASH
供应商设备封装 8-SOIC
内存类型 FLASH
存储容量 1M (128K x 8)
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
接口 SPI Serial
速度 33MHz
其他名称 SST25VF010A334ISAE
封装/外壳 8-SOIC (0.154'. 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
块组织 Symmetrical
电池类型 Split Gate
外形尺寸 4 x 5 x 1.5mm
身高 1.5mm
长度 4mm
最大工作电源电压 3.6 V
最高工作温度 +85 °C
最大随机存取时间 12ns
最低工作电源电压 2.7 V
最低工作温度 -40 °C
安装类型 Surface Mount
每字位数 8bit
字数 128K
组织 128K x 8 bit
包装类型 SOIC
引脚数 8
宽度 5mm
最大工作电流 10 mA
数据总线宽度 1 bit
工厂包装数量 98
RoHS RoHS Compliant
安装风格 SMD/SMT
电源电压 - 最大 3.6 V
封装/外壳 SOIC
组织 4 KB x 32
电源电压 - 最小 2.7 V
访问时间(最大) 12 ns
地址总线 1 b
引导类型 Not Required
安装 Surface Mount
工作温度范围 -40C to 85C
编程/擦除电压(典型值) 2.7 to 3.6 V
字长 8 b
工作温度(最大) 85C
工作温度(最小值) -40C
同步/异步 Synchronous
工作温度分类 Industrial
可编程 Yes
电源电流 10 mA
弧度硬化 No
工作电源电压(典型值) 3.3 V
工作电源电压(最小值) 2.7 V
工作电源电压(最大值) 3.6 V
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